TSMC fue el primero entre los fabricantes de productos semiconductores en dominar la producción de productos de 7 nm. Y aunque formalmente se trata de productos de 7 nm, sus características se encuentran en los mismos niveles que se esperan de los productos Intel de 10 nm. Samsung eligió deliberadamente ralentizar su flujo de trabajo equivalente al proceso de 7 nm de primera generación de TSMC para centrarse en implementar la litografía ultravioleta extrema (EUV). A juzgar por los datos más recientes, el desarrollo de EUV de Samsung va según lo planeado.
Un informe de investigación de Samsung publicado en el Simposio VLSI muestra que la tecnología EUV de 7 nm está lista para la producción en masa y es superior en eficiencia energética a la tecnología convencional de 7 nm. En particular, la empresa ha presentado un gráfico que compara la tensión de ruptura para tres procesos técnicos. En términos simples, cuanto más empinada es la línea recta, mayor es la eficiencia energética. La ilustración muestra que la tecnología EUV de 7 nm de Samsung supera a sus predecesoras.
Además, el fabricante surcoreano mostró muestras de SRAM y presentó datos sobre la resistencia de los chips fabricados con tecnología EUV de 7 nm a altas temperaturas.
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